Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase

Name: Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH50C120L2C2ES1G
Availability: InStock

Alle producten

De spaander van geïntegreerde schakelingen
(18862)

BT IC
(540)

Automobieligbt-Modules
(1941)

Microcontroller MCU
(12766)

GaN IC
(51)

AI-processorchip
(1179)

Serie van de gebieds de Programmeerbare Poort
(6647)

Ethernet-IC
(943)

Verbindingen
(2853)

Geheugen IC-chip
(2435)

Sensor IC
(2188)

IoT-chip
(235)

5G-module
(132)

WiFi 6 Spaander
(142)

De Spaander van Iphoneic
(55)

Draadloze communicatiemodule
(3322)

Temperatuurcontrolemechanisme Thermostat
(8)

Beste Producten

De middelhoogvermogen Dubbele PIM IGBT Modules In drie stadia van Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 Photovoltaic Energie van de Faseigbt Module 950V 70A

Automobieligbt-Modulesff900r12me7b11npsa1 1200V 900A Dubbele IGBT Module

Certificaat

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaten

Klantenoverzichten

Zeer snel verscheept, en zeer werd nuttig, Nieuw en Origineel, hoogst zou adviseren.

—— Nishikawa uit Japan

De professionele en snelle dienst, aanvaardbare prijzen voor goederen. uitstekende mededeling, product zoals verwacht. Ik adviseer hoogst deze leverancier.

—— Luis uit de Verenigde Staten

Hoge kwaliteit en betrouwbare prestaties: "De elektronische componenten die wij van [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] hebben ontvangen, zijn van hoge kwaliteit en hebben betrouwbare prestaties in onze apparaten aangetoond".

—— Richardg Uit Duitsland

Concurrerende prijzen: De prijzen die worden aangeboden door zijn zeer concurrerend, waardoor het een uitstekende keuze is voor onze aanbestedingsbehoeften.

—— Tim uit Maleisië

De klantenservice is uitstekend, ze zijn altijd ontvankelijk en behulpzaam, zodat onze behoeften snel worden vervuld.

—— Vincent uit Rusland

Grote prijzen, snelle levering en uitstekende klantenservice.

—— Nishikawa uit Japan

Betrouwbare onderdelen, snelle verzending en uitstekende ondersteuning.

—— Sam uit de Verenigde Staten

Hoogwaardige onderdelen en een naadloos bestelproces.

—— Lina uit Duitsland

Ik ben online Chatten Nu

Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase

Grote Afbeelding : Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase

Productdetails:

Plaats van herkomst:	CN
Merknaam:	Original Factory
Certificering:	Lead free / RoHS Compliant
Modelnummer:	NXH50C120L2C2ES1G

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	10
Prijs:	Contact for Sample
Verpakking Details:	26-PowerDIP Module
Levertijd:	5-8 het werkdagen
Betalingscondities:	T/T, L/C, Western Union

Contact

Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase

Beschrijving

Artikelnummer:	NXH50C120L2C2ES1G	Ononderbroken Collectorstroom bij 25°C:	50 A
Collector-zender Verzadigingsvoltage:	1.8 V	Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:	1.2kV
Configuratie:	driefasenomschakelaar	Product:	IGBT-Siliciummodules
Markeren:	de Modulebestuurder Circuit van 1.2kV IGBT , IGBT-Modulebestuurder Circuit , NXH50C120L2C2ES1G

Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase

Automobieligbt-Modulesnxh50c120l2c2es1g Omschakelaar In drie stadia met Rem 26-ONDERDOMPELING

Productomschrijving van NXH50C120L2C2ES1G

NXH50C120L2C2ES1G is a transfer−molded machtsmodule met laag thermisch weerstandssubstraat die een converter−inverterkring bevatten die uit zes 50 1600 V-gelijkrichters van A bestaan, zes 50A, 1200V IGBTs met omgekeerde dioden, en een NTC-thermistor.

Specificatie van NXH50C120L2C2ES1G

Artikelnummer:	NXH50C120L2C2ES1G
Poort-zender Lekkagestroom:	Na 400
Minimum Werkende Temperatuur:	- 40 C
Maximum Werkende Temperatuur:	+ 150 C
Verpakking:	Buis
Producttype:	IGBT-Modules

Schematisch Diagram van NXH50C120L2C2ES1G

Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase 0

Andere Elektronische Componenten in Voorraad

Artikelnummer	Pakket
NCV4276BDSADJR4G	To263-5
NCP5392EMNR2G	QFN40
NCP4206MNR2G	QFN48
SEMIX653GB176HDS	Module
LTC3776EUF	QFN24
SI4830CDY	Soppenen-8

FAQ

Q: Zijn uw producten origineel?
A: Ja, zijn alle producten origineel, is de nieuwe originele invoer ons doel.
Q: Welke Certificaten hebt u?
A: Wij zijn het Verklaard Bedrijf van ISO 9001:2015 en lid van ERAI.
Q: Kunt u kleine hoeveelheidsorde of steekproef steunen? Is de steekproef vrij?
A: Ja, steunen wij steekproeforde en kleine orde. De steekproefkosten zijn verschillend volgens uw orde of project.
Q: Hoe te om mijn orde te verschepen? Is het veilig?
A: Wij gebruiken uitdrukkelijk aan schip, zoals DHL, Fedex, UPS, TNT, kan EMS.We uw voorgestelde forwarder ook gebruiken. De producten zullen in goede verpakking zijn en zullen de veiligheid verzekeren en wij zijn verantwoordelijk aan productschade aan uw orde.
Q: Wat over de levertijd?
A: Wij kunnen voorraaddelen binnen 5 werkdagen verschepen. Als zonder voorraad die, zullen wij levertijd voor u bevestigen op uw ordehoeveelheid wordt gebaseerd.

label:

Contactpersoon: Sales Manager

Tel.: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Andere Producten

400A automobieligbt-Modules1200v sic Mosfet Module FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss): 1200V (1.2kV)

Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C: 400A

Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart: 5.55V @ 240mA

Automobieligbt Modules 3 Niveauigbt Module F3L400R10W3S7B11BPSA1 van 950V 400A

Deelnummer: F3L400R10W3S7B11BPSA1

IGBT-type: Geul

Productstatus: Actief

Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max): 950 V

Van de de Module950v 310A Geul van F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT het Gebiedseinde

Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: 950 V

Huidig - Collector ((Maximum) Ic): 310 A

Maximum macht -: 20 mw

(Maximum) Vce () @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

HEV-van de Machtsmodules 1200V 200A van het Siliciumcarbide de Automobielmodules FS05MR12A6MA1BBPSA1

FET Eigenschap: Siliciumcarbide (SiC)

Drain naar bronspanning (Vdss): 1200V (1,2kV)

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C: 200A

Montage-type: Chassismontage

Automotive IGBT-modules FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT-module

Deelnummer: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max): 750 V

Stroom - collector (Ic) (max): 200 A

Vermogen - Max.: 20 mW

Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase

Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase

Van de de Modulebestuurder van NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT de Omschakelaar van Circuit Three Phase

de Modulebestuurder Circuit van 1.2kV IGBT

IGBT-Modulebestuurder Circuit

NXH50C120L2C2ES1G

Automobieligbt-Modules 400A,

De Machtsmodule van FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,