Thuis Producten

Automobieligbt-Modules

Beste Producten

De middelhoogvermogen Dubbele PIM IGBT Modules In drie stadia van Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 Photovoltaic Energie van de Faseigbt Module 950V 70A

Automobieligbt-Modulesff900r12me7b11npsa1 1200V 900A Dubbele IGBT Module

China Automobieligbt-Modules

400A automobieligbt-Modules1200v sic Mosfet Module FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss):1200V (1.2kV)

Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C:400A

Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs:3.7mOhm @ 400A, 15V
Automobieligbt Modules 3 Niveauigbt Module F3L400R10W3S7B11BPSA1 van 950V 400A

Deelnummer:F3L400R10W3S7B11BPSA1

IGBT-type:Geul

Productstatus:Actief
Van de de Module950v 310A Geul van F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT het Gebiedseinde

Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender:950 V

Huidig - Collector ((Maximum) Ic):310 A

Maximum macht -:20 mw
HEV-van de Machtsmodules 1200V 200A van het Siliciumcarbide de Automobielmodules FS05MR12A6MA1BBPSA1

FET Eigenschap:Siliciumcarbide (SiC)

Drain naar bronspanning (Vdss):1200V (1,2kV)

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C:200A
Automotive IGBT-modules FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT-module

Deelnummer:FF300R08W2P2B11ABOMA1

Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):750 V

Stroom - collector (Ic) (max):200 A
IGBT-modules FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Deelnummer:FS03MR12A6MA1BBPSA1

FET Eigenschap:Siliciumcarbide (SiC)

Drain naar bronspanning (Vdss):1200V (1,2kV)
1700V kies Automobieligbt ModulesTransistors IXYN50N170CV1 dronkaard-227-4 uit

Artikelnummer:IXYN50N170CV1

Het maximumvoltage van de Poortzender:- 20 V, 20 V

Pd - Machtsdissipatie:880 W
Dronkaard-227-4 de chassis zetten de Module Enige Transistors op van IXYN140N120A4 380A IGBT

deelnummer:IXYN140N120A4

Huidig - Collector ((Maximum) Ic):380 A

Poort-zender lekkagestroom:Na 200
De chassis zetten Automobieligbt-Modules1200v 220A Enige Transistor op

Artikelnummer:IXYN110N120C4

Huidig - Collectorscheiding:50 µA

Inputcapacitieve weerstand:5.42 N-F @ 25 V
MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

deelnummer:MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Identiteitskaart - Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:79 A

Pd - Machtsdissipatie:310 w
De schroef zet Automobieligbt-Modules79a 310W Mosfet Transistors op

Artikelnummer:MSCSM120DUM31CTBL1NG

Vf - Voorwaarts Voltage:1.5 V bij 30 A

Vr - Omgekeerde spanning:1,2 kV
Diode-rectificatoren MSCDR90A160BL1NG Diode-array 1 paar serieverbinding

deelnummer:MSCDR90A160BL1NG

Diodeconfiguratie:1 paar serieschakeling

Technologie:Standaard

Page 1 of 157|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

Bladeren door rubrieken：

De spaander van geïntegreerde schakelingen
BT IC
Automobieligbt-Modules
Microcontroller MCU
GaN IC
AI-processorchip
Serie van de gebieds de Programmeerbare Poort
Ethernet-IC
Verbindingen
Geheugen IC-chip
Sensor IC
IoT-chip
5G-module
WiFi 6 Spaander
De Spaander van Iphoneic
Draadloze communicatiemodule
Temperatuurcontrolemechanisme Thermostat

Automobieligbt-Modules

De middelhoogvermogen Dubbele PIM IGBT Modules In drie stadia van Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 Photovoltaic Energie van de Faseigbt Module 950V 70A

Automobieligbt-Modulesff900r12me7b11npsa1 1200V 900A Dubbele IGBT Module

China Automobieligbt-Modules

400A automobieligbt-Modules1200v sic Mosfet Module FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Automobieligbt Modules 3 Niveauigbt Module F3L400R10W3S7B11BPSA1 van 950V 400A

Van de de Module950v 310A Geul van F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT het Gebiedseinde

HEV-van de Machtsmodules 1200V 200A van het Siliciumcarbide de Automobielmodules FS05MR12A6MA1BBPSA1

Automotive IGBT-modules FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT-module

IGBT-modules FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

1700V kies Automobieligbt ModulesTransistors IXYN50N170CV1 dronkaard-227-4 uit

Dronkaard-227-4 de chassis zetten de Module Enige Transistors op van IXYN140N120A4 380A IGBT

De chassis zetten Automobieligbt-Modules1200v 220A Enige Transistor op

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

De schroef zet Automobieligbt-Modules79a 310W Mosfet Transistors op

Diode-rectificatoren MSCDR90A160BL1NG Diode-array 1 paar serieverbinding

De spaander van geïntegreerde schakelingen

VN7008AJTR Integrated Circuit Chip High-Side Driver 96A High-Side Switches PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Industriële CMOS analoge schakelaars

LT6700CS6-1 Integrated Circuit Chip Micropower Low Voltage Dual Comparator Met 400mV Referentie

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-transceivers