MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

Name: MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Availability: InStock

Alle producten

De spaander van geïntegreerde schakelingen
(19356)

BT IC
(544)

Automobieligbt-Modules
(1994)

Microcontroller MCU
(13654)

GaN IC
(75)

AI-processorchip
(1179)

Serie van de gebieds de Programmeerbare Poort
(6734)

Ethernet-IC
(1010)

Verbindingen
(2856)

Geheugen IC-chip
(2450)

Sensor IC
(2238)

IoT-chip
(235)

5G-module
(132)

WiFi 6 Spaander
(142)

De Spaander van Iphoneic
(55)

Draadloze communicatiemodule
(3349)

Temperatuurcontrolemechanisme Thermostat
(8)

Beste Producten

De middelhoogvermogen Dubbele PIM IGBT Modules In drie stadia van Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 Photovoltaic Energie van de Faseigbt Module 950V 70A

Automobieligbt-Modulesff900r12me7b11npsa1 1200V 900A Dubbele IGBT Module

Certificaat

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaten

Klantenoverzichten

Zeer snel verscheept, en zeer werd nuttig, Nieuw en Origineel, hoogst zou adviseren.

—— Nishikawa uit Japan

De professionele en snelle dienst, aanvaardbare prijzen voor goederen. uitstekende mededeling, product zoals verwacht. Ik adviseer hoogst deze leverancier.

—— Luis uit de Verenigde Staten

Hoge kwaliteit en betrouwbare prestaties: "De elektronische componenten die wij van [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] hebben ontvangen, zijn van hoge kwaliteit en hebben betrouwbare prestaties in onze apparaten aangetoond".

—— Richardg Uit Duitsland

Concurrerende prijzen: De prijzen die worden aangeboden door zijn zeer concurrerend, waardoor het een uitstekende keuze is voor onze aanbestedingsbehoeften.

—— Tim uit Maleisië

De klantenservice is uitstekend, ze zijn altijd ontvankelijk en behulpzaam, zodat onze behoeften snel worden vervuld.

—— Vincent uit Rusland

Grote prijzen, snelle levering en uitstekende klantenservice.

—— Nishikawa uit Japan

Betrouwbare onderdelen, snelle verzending en uitstekende ondersteuning.

—— Sam uit de Verenigde Staten

Hoogwaardige onderdelen en een naadloos bestelproces.

—— Lina uit Duitsland

Ik ben online Chatten Nu

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

Grote Afbeelding : MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

Productdetails:

Plaats van herkomst:	CN
Merknaam:	Original Factory
Certificering:	Lead free / RoHS Compliant
Modelnummer:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	10
Prijs:	Contact for Sample
Verpakking Details:	module
Levertijd:	5-8 het werkdagen
Betalingscondities:	T/T, L/C, Western Union

Contact

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

Beschrijving

deelnummer:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG	Identiteitskaart - Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:	79 A
Pd - Machtsdissipatie:	310 w	Rds - afvoerkanaal-Bronweerstand:	31 mOhms
Stijgingstijd:	30 NS	Opzettende Stijl:	De schroef zet op
Markeren:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG , Schroefmontage IGBT-kernmodules

IGBT-modules MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

Productbeschrijving van MSCSM120DDUM31CTBL2NG

MSCSM120DDUM31CTBL2NG-modules worden gebruikt in toepassingen zoals hoog betrouwbare stroomsystemen, efficiënte AC/DC- en DC/AC-omvormers, motorbesturing en wisselstroomschakelaars.

Specificatie van MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Deelnummer	MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Polariteit van de transistor:	N-kanaal
Typische uitsteltijd voor het uitschakelen:	50 ns
Typische tijd voor het inzetten:	30 ns
Vds - Breukspanning van de afvoerbron:	1.2 kV
Vgs th - grensspanning van de poortbron:	1.8 V

Kenmerken vanMSCSM120DDUM31CTBL2NG

Intern thermistor voor temperatuurbewaking
Verlengd temperatuurbereik

Andere leveringsproducttypen

Deelnummer	Pakket
PCA9517DGKR	MSOP8
LPC11U24FHI33	QFN48
W949D6BBFX7C	BGA
BSC883N03MSG	TDSON-8
K3RG3G30MM-MGCH	BGA
STS1DNC45	SOP-8

Veelgestelde vragen

V: Zijn uw producten origineel?
A: Ja, alle producten zijn origineel, nieuwe originele import is ons doel.
V: Welke certificaten heeft u?
A: Wij zijn een ISO 9001:2015 gecertificeerd bedrijf en lid van ERAI.
Q: Kun je kleine hoeveelheid bestelling of monster ondersteunen?Is het monster gratis?
A: Ja,we ondersteunen monster bestelling en kleine order.Sample kosten is anders volgens uw bestelling of project.
V: Hoe stuur ik mijn bestelling? Is het veilig?
A: We gebruiken express om te verzenden, zoals DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. We kunnen ook uw voorgestelde expediteur gebruiken.De producten zullen in goede verpakking zijn en zorgen voor de veiligheid en wij zijn verantwoordelijk voor product schade aan uw bestelling.
V: Hoe zit het met de doorlooptijd?
A: We kunnen onderdelen binnen 5 werkdagen op voorraad leveren. Als er geen voorraad is, zullen we de doorlooptijd voor u bevestigen op basis van uw orderhoeveelheid.

label:

Contactpersoon: Sales Manager

Tel.: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Andere Producten

400A automobieligbt-Modules1200v sic Mosfet Module FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss): 1200V (1.2kV)

Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C: 400A

Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart: 5.55V @ 240mA

Automobieligbt Modules 3 Niveauigbt Module F3L400R10W3S7B11BPSA1 van 950V 400A

Deelnummer: F3L400R10W3S7B11BPSA1

IGBT-type: Geul

Productstatus: Actief

Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max): 950 V

Van de de Module950v 310A Geul van F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT het Gebiedseinde

Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: 950 V

Huidig - Collector ((Maximum) Ic): 310 A

Maximum macht -: 20 mw

(Maximum) Vce () @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

HEV-van de Machtsmodules 1200V 200A van het Siliciumcarbide de Automobielmodules FS05MR12A6MA1BBPSA1

FET Eigenschap: Siliciumcarbide (SiC)

Drain naar bronspanning (Vdss): 1200V (1,2kV)

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C: 200A

Montage-type: Chassismontage

Automotive IGBT-modules FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT-module

Deelnummer: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max): 750 V

Stroom - collector (Ic) (max): 200 A

Vermogen - Max.: 20 mW

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistors

MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Schroefmontage IGBT-kernmodules

Automobieligbt-Modules 400A,

De Machtsmodule van FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,