De Spaander van geïntegreerde schakelingen TW070J120B, S1Q-N-Channel MOSFETs Transistors aan-3p-3

De Spaander van geïntegreerde schakelingen TW070J120B, S1Q-N-Channel MOSFETs Transistors aan-3p-3

Productomschrijving van TW070J120B, S1Q

TW070J120B, S1Q is N-Channel MOS Transistors van het Siliciumcarbide, door Gat aan-3P (N).

Specificatie van TW070J120B, S1Q

Eigenschappen van TW070J120B, S1Q

• Verhogingswijze
• Spaanderontwerp van 2de generatie (Ingebouwde sic schottky barrièrediode)
• Laag diode voorwaarts voltage: VDSF = -1,35 V (type.)
• Hoogspanning: VDSS = 1200 V
• Lage afvoerkanaal-bron op-weerstand: RDS () = 70 mΩ (type.)
• Minder vatbaar voor defect toe te schrijven aan hoog drempelvoltage: Vth = 4,2 tot 5,8 V (VDS = 10 V, I D = 20 mA)

Andere Elektronische Componenten in Voorraad

FAQ

Q: Zijn uw producten origineel?
A: Ja, zijn alle producten origineel, is de nieuwe originele invoer ons doel.
Q: Welke Certificaten hebt u?
A: Wij zijn het Verklaard Bedrijf van ISO 9001:2015 en lid van ERAI.
Q: Kunt u kleine hoeveelheidsorde of steekproef steunen? Is de steekproef vrij?
A: Ja, steunen wij steekproeforde en kleine orde. De steekproefkosten zijn verschillend volgens uw orde of project.
Q: Hoe te om mijn orde te verschepen? Is het veilig?
A: Wij gebruiken uitdrukkelijk aan schip, zoals DHL, Fedex, UPS, TNT, kan EMS.We uw voorgestelde forwarder ook gebruiken. De producten zullen in goede verpakking zijn en zullen de veiligheid verzekeren en wij zijn verantwoordelijk aan productschade aan uw orde.
Q: Wat over de levertijd?
A: Wij kunnen voorraaddelen binnen 5 werkdagen verschepen. Als zonder voorraad die, zullen wij levertijd voor u bevestigen op uw ordehoeveelheid wordt gebaseerd.